| 型号： | FQPF8N80CYDTU | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FQPF8N80CYDTU PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | QFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.55 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 59W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，成形引线 |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 包装 | 管件 |